Gettering相关论文
Al precipitates as well as cavities (or open-volume detects) are known for their ability to getter impuri-ties within Si......
在PDP技术中,MgO 的关键作用已经被认识.二次电子的高释放能力,低溅射率和高电阻率使得这个材料适用于PDP 中.然而,在 PDP 的生产......
In this paper, the gettering of Cu impurities in silicon-on-insulator (SOI) materials is studied. Nanovoids are formed i......
Al precipitates as well as cavities (or open-volume detects) are known for their ability to getter impuri-ties within Si......
y layer in Si was investigated by cross section transmission electron microscopy and auger electron spectroscopy....
Al precipitates as well as cavities (or open-volume detects) are known for their ability to getter impuri-ties within Si......
高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔,对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实.作者报道了该技术应用于平面二极管中对金......
本文介绍了使用扫描电镜（ＳＥＭ）、扩展电阻（ＳＲ）、瞬态电容（ｃ－ｔ）和化学腐蚀等技术，对采用不同吸除工艺的重掺Ｓｂ衬底的硅外延片（Ｎ／Ｎ＋）性能进行了研究。结果表明......
我们对多晶硅吸杂和ＳｉＯ２背封二种工艺进行了系统的和深入的实用性研究，解决了ＶＬＳＩ用外延惩衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业化。多晶......
Oxygen gettering in Si by the He induced cavity layer was investigated in this work.A cavity layer was generated in Si s......
主要研究了铸造多晶硅晶锭不同位置的硅片在磷吸杂前后电学性能的变化.结果发现,经过870%磷吸杂40 min后不同位置处硅片的少数载流......
多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法。采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅,通过观察多......
描述了离子注入的几个特殊应用,其中包括离子束退火效应,增加肖特基势垒高度,注入吸杂效应,合成 SiO_2膜及离子注入材料改性等。......
ＭＡＴＨＥＭＡＴＩＣＡＬＭＯＤＥＬＯＦＯＸＹＧＥＮＯＵＴＤＩＦＦＵＳＩＯＮＯＮＬｉｕＲｏｎｇ；Ｃｈｅｎｇ，ＱｉｕｐｉｎｇＬｉ；ＹｉｄｏｎｇＳｈｅＳｉｍｉｎｇ（ＣｅｎｔｒａｌＳｏｕｔｈＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｏｌｏｇｙＣｈｎｇｓｈａ４１００８３.........
在PDP技术中，MgO的关键作用已经被认识。二次电子的高释放能力，低溅射率和高电阻率使得这个材料适用于PDP中。然而，在PDP的生产过程中......
多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷，提高太阳能电池转换效率的有效方法。本文采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅。通过观......
综述了几类主要的太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状。评述了当前太阳电池领域涉及到的几类多晶硅如铸造多晶硅、冶金法多晶硅、西......
对不同氧含量的太阳电池用多晶硅片进行了磷扩散吸杂，铝吸杂及磷铝联合吸杂的研究，用准稳态光电导衰减法（QSSPCD）和太阳电池效率测试系......
Hazy backside gettering of boron-doped 【111】 siljcon wafer with a-Si: H film deposited by rf glowdischarge technique (......
在室温下用低能量Ａｒ＾＋轰击ＭＯＳ电容器肾面，能改善ｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流......
在ＳＩＭＯＸ材料的背面成功地制备了多孔硅层，再在正面故意注入１×１０＾１５ｃｍ＾－２剂量的铜杂质。经９００℃退火，二次离子质谱测试表明铜杂质能穿过埋层ＳｉＯ２并在背在......
利用电子透射显微镜(TEM)和俄歇分析仪(AES)观察硅片直接键合界面结构,在界面存在一个小于2nm厚的非晶区-硅氧化物。此界面具有良......
本文对硅片直接键合界面的吸杂效应进行了研究，根据键合界面存在晶格缺陷、氧沉积物和微缺陷等事实，提出了键盒介面的吸杂试验，分析了......
